casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPN70R360P7SATMA1
Número da peça de fabricante | IPN70R360P7SATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPN70R360P7SATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ P7 |
IPN70R360P7SATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 700V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 12.5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 16.4nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±16V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 517pF @ 400V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 7.2W (Tc) |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-SOT223 |
Pacote / caso | TO-261-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPN70R360P7SATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPN70R360P7SATMA1-FT |
IPL60R210P6AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R075CFD7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R104C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R105P7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R125C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R125P7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R180P6AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R185C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R185CFD7AUMA1
Infineon Technologies
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
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5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.