casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFU5410PBF
Número da peça de fabricante | IRFU5410PBF |
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Número da peça futura | FT-IRFU5410PBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFU5410PBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 205 mOhm @ 7.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 66W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | IPAK (TO-251) |
Pacote / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFU5410PBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFU5410PBF-FT |
BSZ110N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSZ0902NSATMA1
Infineon Technologies
BSZ025N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSZ018NE2LSIATMA1
Infineon Technologies
BSZ0589NSATMA1
Infineon Technologies
BSZ068N06NSATMA1
Infineon Technologies
BSZ013NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
BSZ014NE2LS5IFATMA1
Infineon Technologies
BSZ017NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
BSZ018NE2LSATMA1
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel