casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFSL3607PBF
Número da peça de fabricante | IRFSL3607PBF |
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Número da peça futura | FT-IRFSL3607PBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFSL3607PBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 75V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 46A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3070pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 140W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-262 |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFSL3607PBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFSL3607PBF-FT |
IPD70R950CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD78CN10NGBUMA1
Infineon Technologies
IPD800N06NGBTMA1
Infineon Technologies
IPD80N04S306ATMA1
Infineon Technologies
IPD80N06S3-09
Infineon Technologies
IPD80P03P4L07ATMA1
Infineon Technologies
IPD80R1K0CEATMA1
Infineon Technologies
IPD80R1K0CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD80R1K4CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD80R2K8CEBTMA1
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel