casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD80N06S3-09
Número da peça de fabricante | IPD80N06S3-09 |
---|---|
Número da peça futura | FT-IPD80N06S3-09 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPD80N06S3-09 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 55µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6100pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 107W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO252-3 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD80N06S3-09 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPD80N06S3-09-FT |
IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD50R280CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD50R2K0CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD50R2K0CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD50R380CEATMA1
Infineon Technologies
IPD50R380CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD50R380CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD50R399CP
Infineon Technologies
IPD50R3K0CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD50R3K0CEBTMA1
Infineon Technologies
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2N
Intel
LFEC1E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C6N
Intel