casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD80N04S306ATMA1
Número da peça de fabricante | IPD80N04S306ATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPD80N04S306ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPD80N04S306ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 52µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3250pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 100W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO252-3 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD80N04S306ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPD80N04S306ATMA1-FT |
IPD50R280CEATMA1
Infineon Technologies
IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD50R280CEBTMA1
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IPD50R2K0CEAUMA1
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IPD50R2K0CEBTMA1
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IPD50R380CEATMA1
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IPD50R380CEAUMA1
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IPD50R380CEBTMA1
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IPD50R399CP
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IPD50R3K0CEAUMA1
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
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XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
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AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
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XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel