casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIR696DP-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SIR696DP-T1-GE3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-SIR696DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ThunderFET® |
SIR696DP-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 125V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1410pF @ 75V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 104W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® SO-8 |
Pacote / caso | PowerPAK® SO-8 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR696DP-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIR696DP-T1-GE3-FT |
IRFBC40A
Vishay Siliconix
IRFBC40LC
Vishay Siliconix
IRFBE20
Vishay Siliconix
IRFBE30
Vishay Siliconix
IRFBF20
Vishay Siliconix
IRFBG20
Vishay Siliconix
IRFBG30
Vishay Siliconix
IRFZ10
Vishay Siliconix
IRFZ14
Vishay Siliconix
IRFZ20
Vishay Siliconix
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel