casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIHH068N60E-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SIHH068N60E-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SIHH068N60E-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | E |
SIHH068N60E-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 34A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2650pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 202W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® 8 x 8 |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHH068N60E-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIHH068N60E-T1-GE3-FT |
IRFBG30
Vishay Siliconix
IRFZ10
Vishay Siliconix
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IRFZ30
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IRFZ30PBF
Vishay Siliconix
IRFZ34
Vishay Siliconix
IRFZ40
Vishay Siliconix
IRFZ44R
Vishay Siliconix
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel