casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFI520N
Número da peça de fabricante | IRFI520N |
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Número da peça futura | FT-IRFI520N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFI520N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7.6A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 4.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 30W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB Full-Pak |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFI520N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFI520N-FT |
IPA041N04NGXKSA1
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