casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPA041N04NGXKSA1
Número da peça de fabricante | IPA041N04NGXKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPA041N04NGXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPA041N04NGXKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 70A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 45µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 20V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 35W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-FP |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA041N04NGXKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPA041N04NGXKSA1-FT |
BSP299 E6327
Infineon Technologies
BSP299L6327HUSA1
Infineon Technologies
BSP300 E6327
Infineon Technologies
BSP300L6327HUSA1
Infineon Technologies
BSP315P-E6327
Infineon Technologies
BSP315PE6327T
Infineon Technologies
BSP315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP315PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP316PE6327
Infineon Technologies
BSP316PE6327T
Infineon Technologies
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
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5SGXMB6R2F43C3N
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EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
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LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation