casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFH8330TRPBF
Número da peça de fabricante | IRFH8330TRPBF |
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Número da peça futura | FT-IRFH8330TRPBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFH8330TRPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Ta), 56A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1450pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.3W (Ta), 35W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PQFN (5x6) |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH8330TRPBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFH8330TRPBF-FT |
BSC109N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC110N06NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC110N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC117N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC118N10NSGATMA1
Infineon Technologies
BSC119N03S G
Infineon Technologies
BSC120N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC123N10LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC12DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC13DN30NSFDATMA1
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel