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Infineon Technologies IRFH6200TR2PBF

Name: IRFH6200TR2PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH6200TR2PBF
Availability: InStock
Rating: 4.9 (114 reviews)

Número da peça MFG: IRFH6200TR2PBF

Quantidade disponível: 55530 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: HEXFET® MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRFH6200TR2PBF.pdf

IRFH6200TR2PBF Especificações

Número da peça de fabricante	IRFH6200TR2PBF
Número da peça futura	FT-IRFH6200TR2PBF
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HEXFET®
IRFH6200TR2PBF Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	49A (Ta), 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.95 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	230nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10890pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3.6W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-PQFN (5x6)
Pacote / caso	8-PowerVDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH6200TR2PBF Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRFH6200TR2PBF-FT

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