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Infineon Technologies IGT60R070D1ATMA1

Name: IGT60R070D1ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IGT60R070D1ATMA1
Price: 12.959184 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (580 reviews)

Número da peça MFG: IGT60R070D1ATMA1

Quantidade disponível: 65010 Peças

Preço de referência: USD 12.959184

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fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: CoolGaN™ IC GAN FET 600V 60A 8HSOF

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IGT60R070D1ATMA1.pdf

IGT60R070D1ATMA1 Especificações

Número da peça de fabricante	IGT60R070D1ATMA1
Número da peça futura	FT-IGT60R070D1ATMA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	CoolGaN™
IGT60R070D1ATMA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	31A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 2.6mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (máx.)	-10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 400V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	125W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-HSOF-8-3
Pacote / caso	8-PowerSFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IGT60R070D1ATMA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IGT60R070D1ATMA1-FT

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