casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFH5210TR2PBF
Número da peça de fabricante | IRFH5210TR2PBF |
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Número da peça futura | FT-IRFH5210TR2PBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFH5210TR2PBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta), 55A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.9 mOhm @ 33A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2570pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.6W (Ta), 104W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-PQFN (5x6) |
Pacote / caso | 8-PowerVDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH5210TR2PBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFH5210TR2PBF-FT |
IPW60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R099CPAFKSA1
Infineon Technologies
IPW60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R190P6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R230P6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R280P6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R330P6FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R019C7FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R048CFDAFKSA1
Infineon Technologies
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel