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Infineon Technologies IPW60R099CPAFKSA1

Name: IPW60R099CPAFKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW60R099CPAFKSA1
Price: 5.388368 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (306 reviews)

Número da peça MFG: IPW60R099CPAFKSA1

Quantidade disponível: 19530 Peças

Preço de referência: USD 5.388368

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fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 31A TO-247

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IPW60R099CPAFKSA1.pdf

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IPW60R099CPAFKSA1 Especificações

Número da peça de fabricante	IPW60R099CPAFKSA1
Número da peça futura	FT-IPW60R099CPAFKSA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
IPW60R099CPAFKSA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	31A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1.2mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2800pF @ 100V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	255W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TO247-3
Pacote / caso	TO-247-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPW60R099CPAFKSA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IPW60R099CPAFKSA1-FT

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