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Infineon Technologies IPW65R019C7FKSA1

Name: IPW65R019C7FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW65R019C7FKSA1
Price: 19.408 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (339 reviews)

Número da peça MFG: IPW65R019C7FKSA1

Quantidade disponível: 15370 Peças

Preço de referência: USD 19.408

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fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: CoolMOS™ C7 MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IPW65R019C7FKSA1.pdf

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IPW65R019C7FKSA1 Especificações

Número da peça de fabricante	IPW65R019C7FKSA1
Número da peça futura	FT-IPW65R019C7FKSA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	CoolMOS™ C7
IPW65R019C7FKSA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	75A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19 mOhm @ 58.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 2.92mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	215nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	9900pF @ 400V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	446W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TO247-3
Pacote / caso	TO-247-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPW65R019C7FKSA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IPW65R019C7FKSA1-FT

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