casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPW60R041P6FKSA1
Número da peça de fabricante | IPW60R041P6FKSA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-IPW60R041P6FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ P6 |
IPW60R041P6FKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 77.5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 35.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 2.96mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8180pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 481W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO247-3 |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW60R041P6FKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPW60R041P6FKSA1-FT |
IPI25N06S3-25
Infineon Technologies
IPI25N06S3L-22
Infineon Technologies
IPI26CN10N G
Infineon Technologies
IPI26CNE8N G
Infineon Technologies
IPI320N20N3GAKSA1
Infineon Technologies
IPI35CN10N G
Infineon Technologies
IPI45N06S3-16
Infineon Technologies
IPI45N06S3L-13
Infineon Technologies
IPI45N06S409AKSA1
Infineon Technologies
IPI45N06S4L08AKSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel