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Infineon Technologies IRF8915

Número da peça MFG
IRF8915
Quantidade disponível
25710 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
HEXFET® MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IRF8915 Especificações

Número da peça de fabricante IRF8915
Número da peça futura FT-IRF8915
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series HEXFET®
IRF8915 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 8.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 10V
Potência - Max 2W
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 8-SO
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF8915 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IRF8915-FT

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