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Infineon Technologies AUIRF7379QTR

Número da peça MFG
AUIRF7379QTR
Quantidade disponível
65110 Peças
Preço de referência
USD 0.608736
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
HEXFET® MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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AUIRF7379QTR Especificações

Número da peça de fabricante AUIRF7379QTR
Número da peça futura FT-AUIRF7379QTR
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series HEXFET®
AUIRF7379QTR Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N and P-Channel
Recurso FET Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 5.8A, 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V
Potência - Max 2.5W
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 8-SO
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRF7379QTR Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição AUIRF7379QTR-FT

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