casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / IRF7101PBF
Número da peça de fabricante | IRF7101PBF |
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Número da peça futura | FT-IRF7101PBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRF7101PBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 320pF @ 15V |
Potência - Max | 2W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7101PBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRF7101PBF-FT |
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Microsemi Corporation
EP4CE115F23C7
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Xilinx Inc.
5AGXMB3G4F31I3N
Intel
EP4SE230F29I3N
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EP3C25F324I7
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EP20K200EQC208-2X
Intel