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Infineon Technologies IRF8910PBF

Name: IRF8910PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF8910PBF
Availability: InStock
Rating: 4.8 (707 reviews)

Número da peça MFG: IRF8910PBF

Quantidade disponível: 60840 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: HEXFET® MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRF8910PBF.pdf

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IRF8910PBF Especificações

Número da peça de fabricante	IRF8910PBF
Número da peça futura	FT-IRF8910PBF
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HEXFET®
IRF8910PBF Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Recurso FET	Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.55V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	960pF @ 10V
Potência - Max	2W
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-SO
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF8910PBF Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRF8910PBF-FT

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