casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF3704ZSPBF
Número da peça de fabricante | IRF3704ZSPBF |
---|---|
Número da peça futura | FT-IRF3704ZSPBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRF3704ZSPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 67A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9 mOhm @ 21A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1220pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 57W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF3704ZSPBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRF3704ZSPBF-FT |
IPBH6N03LA
Infineon Technologies
IPBH6N03LA G
Infineon Technologies
IRF100S201
Infineon Technologies
IRF1010ESTRR
Infineon Technologies
IRF1010EZS
Infineon Technologies
IRF1010EZSPBF
Infineon Technologies
IRF1010NSPBF
Infineon Technologies
IRF1010NSTRL
Infineon Technologies
IRF1010NSTRR
Infineon Technologies
IRF1010NSTRRPBF
Infineon Technologies
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel