casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF100S201
Número da peça de fabricante | IRF100S201 |
---|---|
Número da peça futura | FT-IRF100S201 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET®, StrongIRFET™ |
IRF100S201 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 192A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 115A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 255nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9500pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 441W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D²PAK (TO-263AB) |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF100S201 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRF100S201-FT |
IPB64N25S320ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R045C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R045C7ATMA2
Infineon Technologies
IPB65R065C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R095C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R095C7ATMA2
Infineon Technologies
IPB65R099C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R110CFDAATMA1
Infineon Technologies
IPB65R110CFDATMA1
Infineon Technologies
IPB65R125C7ATMA1
Infineon Technologies