casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPBH6N03LA
Número da peça de fabricante | IPBH6N03LA |
---|---|
Número da peça futura | FT-IPBH6N03LA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPBH6N03LA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 25V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 30µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2390pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 71W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO263-3-2 |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPBH6N03LA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPBH6N03LA-FT |
IPB60R600P6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R950C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB64N25S320ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R045C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R045C7ATMA2
Infineon Technologies
IPB65R065C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R095C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R095C7ATMA2
Infineon Technologies
IPB65R099C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R110CFDAATMA1
Infineon Technologies
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel