casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF3704ZCSTRRP
Número da peça de fabricante | IRF3704ZCSTRRP |
---|---|
Número da peça futura | FT-IRF3704ZCSTRRP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRF3704ZCSTRRP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 67A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9 mOhm @ 21A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1220pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 57W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF3704ZCSTRRP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRF3704ZCSTRRP-FT |
IPB90R340C3ATMA1
Infineon Technologies
IPBH6N03LA
Infineon Technologies
IPBH6N03LA G
Infineon Technologies
IRF100S201
Infineon Technologies
IRF1010ESTRR
Infineon Technologies
IRF1010EZS
Infineon Technologies
IRF1010EZSPBF
Infineon Technologies
IRF1010NSPBF
Infineon Technologies
IRF1010NSTRL
Infineon Technologies
IRF1010NSTRR
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel