casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF2807ZSTRLPBF
Número da peça de fabricante | IRF2807ZSTRLPBF |
---|---|
Número da peça futura | FT-IRF2807ZSTRLPBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRF2807ZSTRLPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 75V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4 mOhm @ 53A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3270pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 170W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF2807ZSTRLPBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRF2807ZSTRLPBF-FT |
IPB80N06S2H5ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S2L-H5
Infineon Technologies
IPB80N06S2L05ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S2L06ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S2L06ATMA2
Infineon Technologies
IPB80N06S2L07ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S2L07ATMA3
Infineon Technologies
IPB80N06S2L09ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S2L09ATMA2
Infineon Technologies
IPB80N06S2L11ATMA1
Infineon Technologies
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation