casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB80N06S2L11ATMA1
Número da peça de fabricante | IPB80N06S2L11ATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPB80N06S2L11ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPB80N06S2L11ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.7 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 93µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2075pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 158W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO263-3-2 |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB80N06S2L11ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPB80N06S2L11ATMA1-FT |
IPB50R299CPATMA1
Infineon Technologies
IPB530N15N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB60R060P7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R080P7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R099CPAATMA1
Infineon Technologies
IPB60R099CPATMA1
Infineon Technologies
IPB60R099P7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R120P7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R125CPATMA1
Infineon Technologies
IPB60R160C6ATMA1
Infineon Technologies
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel