casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB80N06S2L05ATMA1
Número da peça de fabricante | IPB80N06S2L05ATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPB80N06S2L05ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPB80N06S2L05ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5700pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 300W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO263-3-2 |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB80N06S2L05ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPB80N06S2L05ATMA1-FT |
IPB47N10S33ATMA1
Infineon Technologies
IPB47N10SL26ATMA1
Infineon Technologies
IPB50CN10NGATMA1
Infineon Technologies
IPB50N10S3L16ATMA1
Infineon Technologies
IPB50R140CPATMA1
Infineon Technologies
IPB50R199CPATMA1
Infineon Technologies
IPB50R250CPATMA1
Infineon Technologies
IPB50R299CPATMA1
Infineon Technologies
IPB530N15N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB60R060P7ATMA1
Infineon Technologies
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel