casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF1010ZSPBF
Número da peça de fabricante | IRF1010ZSPBF |
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Número da peça futura | FT-IRF1010ZSPBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRF1010ZSPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2840pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 140W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF1010ZSPBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRF1010ZSPBF-FT |
IPB65R125C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R125C7ATMA2
Infineon Technologies
IPB65R150CFDAATMA1
Infineon Technologies
IPB65R150CFDATMA1
Infineon Technologies
IPB65R190C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R190C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R190C7ATMA2
Infineon Technologies
IPB65R190CFDAATMA1
Infineon Technologies
IPB65R190CFDATMA1
Infineon Technologies
IPB65R225C7ATMA1
Infineon Technologies
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel