casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB65R150CFDAATMA1
Número da peça de fabricante | IPB65R150CFDAATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPB65R150CFDAATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
IPB65R150CFDAATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 22.4A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 9.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 900µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2340pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 195.3W (Tc) |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D²PAK (TO-263AB) |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB65R150CFDAATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPB65R150CFDAATMA1-FT |
IPB11N03LA G
Infineon Technologies
IPB120N03S4L03ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N04S3-02
Infineon Technologies
IPB120N04S404ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N04S4L02ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N06N G
Infineon Technologies
IPB120N06S402ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N06S402ATMA2
Infineon Technologies
IPB120N06S403ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N06S403ATMA2
Infineon Technologies
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
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M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
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5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel