casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB65R150CFDATMA1
Número da peça de fabricante | IPB65R150CFDATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPB65R150CFDATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
IPB65R150CFDATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 22.4A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 9.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 900µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2340pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 195.3W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D²PAK (TO-263AB) |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB65R150CFDATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPB65R150CFDATMA1-FT |
IPB120N03S4L03ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N04S3-02
Infineon Technologies
IPB120N04S404ATMA1
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IPB120N04S4L02ATMA1
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IPB120N06N G
Infineon Technologies
IPB120N06S402ATMA1
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IPB120N06S402ATMA2
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IPB120N06S403ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N06S403ATMA2
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IPB120N06S4H1ATMA1
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XC3S200A-4FT256I
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XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
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AGL030V5-VQ100I
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EP2C50F672I8
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XC6SLX4-2CSG225I
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AGL600V2-CSG281
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LFXP6C-3Q208C
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LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel