casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPW60R041C6FKSA1
Número da peça de fabricante | IPW60R041C6FKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPW60R041C6FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
IPW60R041C6FKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 77.5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 44.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 2.96mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 290nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6530pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 481W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO247-3 |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW60R041C6FKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPW60R041C6FKSA1-FT |
IPS80R2K4P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU80R1K2P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU80R600P7AKMA1
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IPU80R3K3P7AKMA1
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IPU80R2K4P7AKMA1
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IPU80R2K0P7AKMA1
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IPU95R450P7AKMA1
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IPU95R1K2P7AKMA1
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IPSA70R1K2P7SAKMA1
Infineon Technologies
XC2VP4-6FGG256C
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XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
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A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel