casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPU80R3K3P7AKMA1
Número da peça de fabricante | IPU80R3K3P7AKMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPU80R3K3P7AKMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ P7 |
IPU80R3K3P7AKMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 800V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.9A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 Ohm @ 590mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 30µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 120pF @ 500V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 18W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO251-3 |
Pacote / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPU80R3K3P7AKMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPU80R3K3P7AKMA1-FT |
IPB023N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB025N10N3GATMA1
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IPB025N10N3GE8187ATMA1
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IPB039N10N3GE8187ATMA1
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IPB065N15N3GE8187ATMA1
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IPB140N08S404ATMA1
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IPB160N04S203ATMA1
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XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
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M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
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LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel