casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPU050N03L G
Número da peça de fabricante | IPU050N03L G |
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Número da peça futura | FT-IPU050N03L G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPU050N03L G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 68W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO251-3 |
Pacote / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPU050N03L G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPU050N03L G-FT |
BSZ12DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ130N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ150N10LS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ160N10NS3GATMA1
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BSZ16DN25NS3GATMA1
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BSZ180P03NS3EGATMA1
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BSZ180P03NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ240N12NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ42DN25NS3GATMA1
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BSZ900N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-6TG100I
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XA3S400A-4FTG256I
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A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel