casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSZ42DN25NS3GATMA1
Número da peça de fabricante | BSZ42DN25NS3GATMA1 |
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Número da peça futura | FT-BSZ42DN25NS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSZ42DN25NS3GATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 250V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 425 mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 13µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 430pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 33.8W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TSDSON-8 |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ42DN25NS3GATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSZ42DN25NS3GATMA1-FT |
BSC0500NSIATMA1
Infineon Technologies
BSC0501NSIATMA1
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BSC0502NSIATMA1
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BSC0503NSIATMA1
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BSC0504NSIATMA1
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BSC050N03MSGATMA1
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BSC052N03S G
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BSC054N04NSGATMA1
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BSC057N03LSGATMA1
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