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Infineon Technologies BSZ12DN20NS3GATMA1

Name: BSZ12DN20NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ12DN20NS3GATMA1
Price: 0.417832 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (806 reviews)

Número da peça MFG: BSZ12DN20NS3GATMA1

Quantidade disponível: 87820 Peças

Preço de referência: USD 0.417832

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: OptiMOS™ MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: BSZ12DN20NS3GATMA1.pdf

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BSZ12DN20NS3GATMA1 Especificações

Número da peça de fabricante	BSZ12DN20NS3GATMA1
Número da peça futura	FT-BSZ12DN20NS3GATMA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	OptiMOS™
BSZ12DN20NS3GATMA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	11.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	8.7nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	680pF @ 100V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	50W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TSDSON-8
Pacote / caso	8-PowerTDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSZ12DN20NS3GATMA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	BSZ12DN20NS3GATMA1-FT

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