casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP80N06S2L11AKSA1
Número da peça de fabricante | IPP80N06S2L11AKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPP80N06S2L11AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPP80N06S2L11AKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 93µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2075pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 158W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3-1 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP80N06S2L11AKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPP80N06S2L11AKSA1-FT |
IPP50R399CPHKSA1
Infineon Technologies
IPP50R399CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP50R500CEXKSA1
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IPP50R520CPXKSA1
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IPP600N25N3GXKSA1
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IPP60R060C7XKSA1
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IPP60R074C6XKSA1
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IPP60R099C6XKSA1
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IPP60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
EX64-TQ100I
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M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
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XCS05-3PC84C
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XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel