casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP80N06S208AKSA2
Número da peça de fabricante | IPP80N06S208AKSA2 |
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Número da peça futura | FT-IPP80N06S208AKSA2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPP80N06S208AKSA2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 58A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 96nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2860pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 215W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3-1 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP80N06S208AKSA2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPP80N06S208AKSA2-FT |
IPP47N10S33AKSA1
Infineon Technologies
IPP47N10SL26AKSA1
Infineon Technologies
IPP50CN10NGXKSA1
Infineon Technologies
IPP50R140CPHKSA1
Infineon Technologies
IPP50R190CEXKSA1
Infineon Technologies
IPP50R199CPHKSA1
Infineon Technologies
IPP50R199CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP50R250CPHKSA1
Infineon Technologies
IPP50R299CPHKSA1
Infineon Technologies
IPP50R350CPHKSA1
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel