casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP50R199CPXKSA1
Número da peça de fabricante | IPP50R199CPXKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPP50R199CPXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
IPP50R199CPXKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 550V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199 mOhm @ 9.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 660µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 139W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3-1 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP50R199CPXKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPP50R199CPXKSA1-FT |
IPP05N03LB G
Infineon Technologies
IPP060N06NAKSA1
Infineon Technologies
IPP062NE7N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP065N04N G
Infineon Technologies
IPP065N06LGAKSA1
Infineon Technologies
IPP06CN10LGXKSA1
Infineon Technologies
IPP06CN10N G
Infineon Technologies
IPP06CN10NGXKSA1
Infineon Technologies
IPP06CNE8N G
Infineon Technologies
IPP06N03LA
Infineon Technologies
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel