casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP80N06S207AKSA4
Número da peça de fabricante | IPP80N06S207AKSA4 |
---|---|
Número da peça futura | FT-IPP80N06S207AKSA4 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPP80N06S207AKSA4 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6 mOhm @ 68A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 180µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3400pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 250W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3-1 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP80N06S207AKSA4 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPP80N06S207AKSA4-FT |
IPP45N06S4L08AKSA2
Infineon Technologies
IPP45P03P4L11AKSA1
Infineon Technologies
IPP47N10S33AKSA1
Infineon Technologies
IPP47N10SL26AKSA1
Infineon Technologies
IPP50CN10NGXKSA1
Infineon Technologies
IPP50R140CPHKSA1
Infineon Technologies
IPP50R190CEXKSA1
Infineon Technologies
IPP50R199CPHKSA1
Infineon Technologies
IPP50R199CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP50R250CPHKSA1
Infineon Technologies
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel