casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP45N06S4L08AKSA2
Número da peça de fabricante | IPP45N06S4L08AKSA2 |
---|---|
Número da peça futura | FT-IPP45N06S4L08AKSA2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPP45N06S4L08AKSA2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 45A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 45A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 35µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±16V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4780pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 71W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3-1 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP45N06S4L08AKSA2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPP45N06S4L08AKSA2-FT |
IPP052NE7N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP054NE8NGHKSA2
Infineon Technologies
IPP057N06N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP057N08N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP057N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP05CN10L G
Infineon Technologies
IPP05CN10NGXKSA1
Infineon Technologies
IPP05N03LA
Infineon Technologies
IPP05N03LB G
Infineon Technologies
IPP060N06NAKSA1
Infineon Technologies
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel