casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP80N06S207AKSA1
Número da peça de fabricante | IPP80N06S207AKSA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-IPP80N06S207AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPP80N06S207AKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6 mOhm @ 68A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 180µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3400pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 250W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3-1 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP80N06S207AKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPP80N06S207AKSA1-FT |
IPP45N06S4L08AKSA1
Infineon Technologies
IPP45N06S4L08AKSA2
Infineon Technologies
IPP45P03P4L11AKSA1
Infineon Technologies
IPP47N10S33AKSA1
Infineon Technologies
IPP47N10SL26AKSA1
Infineon Technologies
IPP50CN10NGXKSA1
Infineon Technologies
IPP50R140CPHKSA1
Infineon Technologies
IPP50R190CEXKSA1
Infineon Technologies
IPP50R199CPHKSA1
Infineon Technologies
IPP50R199CPXKSA1
Infineon Technologies
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel