casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB180N10S403ATMA1
Número da peça de fabricante | IPB180N10S403ATMA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-IPB180N10S403ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPB180N10S403ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 180µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10120pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 250W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO263-7-3 |
Pacote / caso | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB180N10S403ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPB180N10S403ATMA1-FT |
IRL1104
Infineon Technologies
IRL1104PBF
Infineon Technologies
IRL3102
Infineon Technologies
IRL3102PBF
Infineon Technologies
IRL3103D1
Infineon Technologies
IRL3103D1PBF
Infineon Technologies
IRL3103D2
Infineon Technologies
IRL3103D2PBF
Infineon Technologies
IRL3202PBF
Infineon Technologies
IRL3215
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel