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Infineon Technologies IPB180N06S4H1ATMA2

Número da peça MFG
IPB180N06S4H1ATMA2
Quantidade disponível
57600 Peças
Preço de referência
USD 1.74932
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IPB180N06S4H1ATMA2 Especificações

Número da peça de fabricante IPB180N06S4H1ATMA2
Número da peça futura FT-IPB180N06S4H1ATMA2
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPB180N06S4H1ATMA2 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 21900pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 250W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor PG-TO263-7-3
Pacote / caso TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB180N06S4H1ATMA2 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IPB180N06S4H1ATMA2-FT

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