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Infineon Technologies IPB180N06S4H1ATMA2

Name: IPB180N06S4H1ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB180N06S4H1ATMA2
Price: 1.74932 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (703 reviews)

Número da peça MFG: IPB180N06S4H1ATMA2

Quantidade disponível: 57600 Peças

Preço de referência: USD 1.74932

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IPB180N06S4H1ATMA2.pdf

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IPB180N06S4H1ATMA2 Especificações

Número da peça de fabricante	IPB180N06S4H1ATMA2
Número da peça futura	FT-IPB180N06S4H1ATMA2
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPB180N06S4H1ATMA2 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	180A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	270nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	21900pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	250W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TO263-7-3
Pacote / caso	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB180N06S4H1ATMA2 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IPB180N06S4H1ATMA2-FT

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