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Infineon Technologies IPP60R099CPXKSA1

Número da peça MFG
IPP60R099CPXKSA1
Quantidade disponível
76260 Peças
Preço de referência
USD 6.944
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 31A TO-220
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IPP60R099CPXKSA1 Especificações

Número da peça de fabricante IPP60R099CPXKSA1
Número da peça futura FT-IPP60R099CPXKSA1
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series CoolMOS™
IPP60R099CPXKSA1 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 31A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.2mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 100V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 255W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor PG-TO220-3
Pacote / caso TO-220-3
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP60R099CPXKSA1 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IPP60R099CPXKSA1-FT

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