casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP096N03L G
Número da peça de fabricante | IPP096N03L G |
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Número da peça futura | FT-IPP096N03L G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPP096N03L G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 42W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP096N03L G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPP096N03L G-FT |
IPP040N06NAKSA1
Infineon Technologies
IPP65R190E6XKSA1
Infineon Technologies
IPP80N08S2L07AKSA1
Infineon Technologies
SPP08P06PHXKSA1
Infineon Technologies
IPP093N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
SPP15P10PLHXKSA1
Infineon Technologies
IPP65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP065N03LGXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R380E6XKSA1
Infineon Technologies
IPP90R800C3XKSA1
Infineon Technologies
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel