casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP080N06N G
Número da peça de fabricante | IPP080N06N G |
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Número da peça futura | FT-IPP080N06N G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPP080N06N G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3500pF @ 30V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 214W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3-1 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP080N06N G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPP080N06N G-FT |
IPP052N08N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP100N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP65R225C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP052N06L3GXKSA1
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SPP21N50C3XKSA1
Infineon Technologies
IPP16CN10NGXKSA1
Infineon Technologies
IPP023N04NGXKSA1
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BUZ32 H
Infineon Technologies
IPP040N06NAKSA1
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IPP65R190E6XKSA1
Infineon Technologies
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
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5SGXEB5R1F40I2N
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5SGXMA3K3F40C2N
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EP3SE260F1517C2N
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LFE2-20SE-5FN484C
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LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
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