casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP12CNE8N G
Número da peça de fabricante | IPP12CNE8N G |
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Número da peça futura | FT-IPP12CNE8N G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPP12CNE8N G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 85V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 67A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.9 mOhm @ 67A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4340pF @ 40V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 125W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP12CNE8N G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPP12CNE8N G-FT |
IPP024N06N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP024N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP027N08N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP028N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP030N10N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP030N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP032N06N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP034N03LGHKSA1
Infineon Technologies
IPP034N08N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP037N08N3GE8181XKSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel