casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP030N10N3GHKSA1
Número da peça de fabricante | IPP030N10N3GHKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPP030N10N3GHKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPP030N10N3GHKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 275µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 206nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 14800pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 300W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP030N10N3GHKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPP030N10N3GHKSA1-FT |
IPP80N06S209AKSA2
Infineon Technologies
IPP80R1K4P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP200N15N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP042N03LGXKSA1
Infineon Technologies
IPP023N10N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP083N10N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP60R199CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP037N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP086N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP80N03S4L03AKSA1
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel