casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP027N08N5AKSA1
Número da peça de fabricante | IPP027N08N5AKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPP027N08N5AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPP027N08N5AKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 80V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 154µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 123nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8970pF @ 40V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 214W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP027N08N5AKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPP027N08N5AKSA1-FT |
IPP50N10S3L16AKSA1
Infineon Technologies
IPP020N06NAKSA1
Infineon Technologies
IPP80N06S209AKSA2
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IPP80R1K4P7XKSA1
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IPP042N03LGXKSA1
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IPP023N10N5AKSA1
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IPP083N10N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP60R199CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP037N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel