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Infineon Technologies IPN80R2K4P7ATMA1

Name: IPN80R2K4P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN80R2K4P7ATMA1
Price: 0.29088 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (762 reviews)

Número da peça MFG: IPN80R2K4P7ATMA1

Quantidade disponível: 39250 Peças

Preço de referência: USD 0.29088

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fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: CoolMOS™ P7 COOLMOS P7 800V SOT-223

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IPN80R2K4P7ATMA1.pdf

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IPN80R2K4P7ATMA1 Especificações

Número da peça de fabricante	IPN80R2K4P7ATMA1
Número da peça futura	FT-IPN80R2K4P7ATMA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	CoolMOS™ P7
IPN80R2K4P7ATMA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	2.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 40µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	150pF @ 500V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	6.3W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-SOT223
Pacote / caso	TO-261-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPN80R2K4P7ATMA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IPN80R2K4P7ATMA1-FT

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